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ⓘ Nitruro di gallio



Nitruro di gallio
                                     

ⓘ Nitruro di gallio

Il nitruro di gallio è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche questultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto, pari a 3.47 eV alla temperatura di 0 K. Diversamente da tutti i semiconduttori del gruppo III-V a larga energia di gap, il GaN ha un band gap diretto, che lo rende utilizzabile per la realizzazione di laser blu e LED. In questo materiale, lenergia di legame degli eccitoni, misurata sperimentalmente, varia tra i 18 ed i 28 meV. Il fondo della banda di conduzione è ben approssimato da una relazione di dispersione parabolica, il fondo delle valli adiacenti si trova invece ad energie maggiori di almeno 2 eV.

Per descrivere la struttura a bande del GaN sotto strain, sono necessari sei potenziali di deformazione, più il tensore di strain ed il potenziale di deformazione idrostatica totale. G. B. Ren, Y. M. Liu e P. Blood ; i coefficienti piezoelettrici utilizzati di norma sono invece calcolati da una media tra i lavori sperimentali di Bykhovki, Lueng e Shimada e quelli teorici di Bernardini e Fiorentini.

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